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MOSFET IRF644 (Vishay)

IRF644 (Vishay)

芯片信息

型号 封装 在线定购
IRF644（查看） TO-220
IRF644N（查看） TO-220
IRF644NL（查看） TO-262
IRF644NS（查看） TO-263
IRF644S（查看） TO-263

引脚布局

（点击图片看大图）
技术资料—— IRF644 (Vishay) PDF技术资料

IRF644 概述


　　IRF644属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF644为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。
　　TO-220封装的IRF644普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF644得到业内的普遍认可。SMD-220封装的IRF644适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。IRF644的SMD-220封装可适应高强度电流的应用。
IRF644 参数
IRF644 基本参数
VDS   250 V
ID @25℃   14 A
RDS(on)   0.28 mΩ
IRF644 其他特性
FET极性   N型沟道
Qg (Max.) (nC)   68 nC
IRF644 封装与引脚
TO-220, TO-263, TO-262

IRF644 特性

  • 动态dv/dt率
  • 可恢复性雪崩测定
  • 175℃工作温度 - IRF644N
  • 快速转换速率
  • 并行简易
  • 仅需简单驱动
  • 第五代Power MOSFETs - IRF644N
  • 贴片安装 - IRF644S、IRF644NS
  • 可选卷带包装 - IRF644S、IRF644NS
  • 无铅环保